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降低成本的目的，器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后，大熔硅体积，严重的热对流使单晶氧含量增大。晶体直径的增大也使结晶潜热的散发更加困难，结晶速率难以提高。为了解决这两个问题，本文在国产TDR-80单晶炉的基础上，对热场进行了局部改造，施加了新型加强复合式热屏。有限元法是一种能求得许多工程问题近似解的数值分析方法。由于拉单晶过程中投料量较大，炉体结构复杂。出于提高生产率生长Φ8“直拉硅单晶Φ8”热场研究及数值模拟\随着科学的飞速发展造价昂贵。包括设于该炉顶部并伸入炉内的氩气输入管(12)，与氩气输入管(12)相连通的环形气体分布器(11)，其特征在于经氩气输入 9×103Pa，氩气流量为30L/min。2， 根据权利要求1所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于还包括 设于该炉的坩埚支持器(14)下方和该部的排气口 (13)之间的气流 导向装置(20)。一种直拉式单晶生长炉权利要求1该气流导向装置(20)为碗形气 流导向装置(20)的上端部(2-4)设于该炉的保温筒(17)与发热体(16) 之间。3其特征在于所述气流 导向装置(20)的上端部(2-4)的外壁与该炉的保温筒(17)密封连接。6， 根据权利要求5所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)各通气孔(2-3)与该炉的排气口 (13)通过通气管(19) 相连通。7， 根据权利要求6所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)由石墨制成。